Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGTQ100A65T1G

APTGTQ100A65T1G

APTGTQ100A65T1G
APTGTQ100A65T1G
Артикул: APTGTQ100A65T1G
Описание: APTGTQ100A65T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 240 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100A65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 240 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100A65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet