Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGTQ150TA65TPG

APTGTQ150TA65TPG

APTGTQ150TA65TPG
APTGTQ150TA65TPG
Артикул: APTGTQ150TA65TPG
Описание: APTGTQ150TA65TPG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 360 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 365 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ150TA65TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 360 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 365 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ150TA65TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet