Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGTQ200A65T3G

APTGTQ200A65T3G

APTGTQ200A65T3G
APTGTQ200A65T3G
Артикул: APTGTQ200A65T3G
Описание: APTGTQ200A65T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 480 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 483 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ200A65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 480 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 483 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ200A65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet