Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTLGL325A1208G

APTLGL325A1208G

APTLGL325A1208G
APTLGL325A1208G
Артикул: APTLGL325A1208G
Описание: APTLGL325A1208G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual
Continuous Collector Current 420 A
Power Dissipation 1.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTLGL325A1208G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual
Continuous Collector Current 420 A
Power Dissipation 1.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTLGL325A1208G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet