Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM100GAL120DLCK

BSM100GAL120DLCK

BSM100GAL120DLCK
BSM100GAL120DLCK
Артикул: BSM100GAL120DLCK
Описание: BSM100GAL120DLCK
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 205 A
Power Dissipation 830 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GAL120DLCK: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 205 A
Power Dissipation 830 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GAL120DLCK: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet