Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM100GB120DN2

BSM100GB120DN2

BSM100GB120DN2
BSM100GB120DN2
Артикул: BSM100GB120DN2
Описание: BSM100GB120DN2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 800 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 800 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet