Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM100GB120DN2K

BSM100GB120DN2K

BSM100GB120DN2K
BSM100GB120DN2K
Артикул: BSM100GB120DN2K
Описание: BSM100GB120DN2K
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 145 A
Power Dissipation 700 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DN2K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 145 A
Power Dissipation 700 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DN2K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet