Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM10GD120DN2E3224

BSM10GD120DN2E3224

BSM10GD120DN2E3224
BSM10GD120DN2E3224
Артикул: BSM10GD120DN2E3224
Описание: BSM10GD120DN2E3224
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 120 nA
Continuous Collector Current 15 A
Power Dissipation 80 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GD120DN2E3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 120 nA
Continuous Collector Current 15 A
Power Dissipation 80 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GD120DN2E3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet