Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM10GP120

BSM10GP120

BSM10GP120
BSM10GP120
Артикул: BSM10GP120
Описание: BSM10GP120
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 20 A
Power Dissipation 100 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 20 A
Power Dissipation 100 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet