Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM10GP60

BSM10GP60

BSM10GP60
BSM10GP60
Артикул: BSM10GP60
Описание: BSM10GP60
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 20 A
Power Dissipation 80 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 20 A
Power Dissipation 80 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet