Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM15GP120

BSM15GP120

BSM15GP120
BSM15GP120
Артикул: BSM15GP120
Описание: BSM15GP120
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 180 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM15GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 180 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM15GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet