Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM200GA120DLCS

BSM200GA120DLCS

BSM200GA120DLCS
BSM200GA120DLCS
Артикул: BSM200GA120DLCS
Описание: BSM200GA120DLCS
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 370 A
Power Dissipation 1450 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GA120DLCS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 370 A
Power Dissipation 1450 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GA120DLCS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet