Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM25GD120DN2

BSM25GD120DN2

BSM25GD120DN2
BSM25GD120DN2
Артикул: BSM25GD120DN2
Описание: BSM25GD120DN2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 180 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 200 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 180 nA
Continuous Collector Current 35 A
Power Dissipation 200 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet