Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM25GP120

BSM25GP120

BSM25GP120
BSM25GP120
Артикул: BSM25GP120
Описание: BSM25GP120
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.55 V
Configuration Array 7
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 230 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.55 V
Configuration Array 7
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 230 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet