Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM300GA120DN2

BSM300GA120DN2

BSM300GA120DN2
BSM300GA120DN2
Артикул:
Описание: BSM300GA120DN2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 320 nA
Continuous Collector Current 430 A
Power Dissipation 2500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM300GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 320 nA
Continuous Collector Current 430 A
Power Dissipation 2500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM300GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet