Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM30GD60DLC

BSM30GD60DLC

BSM30GD60DLC
BSM30GD60DLC
Артикул: BSM30GD60DLC
Описание: BSM30GD60DLC
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet