Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM30GP60

BSM30GP60

BSM30GP60
BSM30GP60
Артикул: BSM30GP60
Описание: BSM30GP60
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 180 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 180 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet