Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM35GB120DN2

BSM35GB120DN2

BSM35GB120DN2
BSM35GB120DN2
Артикул: BSM35GB120DN2
Описание: BSM35GB120DN2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet