Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM35GP120G

BSM35GP120G

BSM35GP120G
BSM35GP120G
Артикул: BSM35GP120G
Описание: BSM35GP120G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 230 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GP120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 230 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GP120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet