История: 
																		PIC32MX230F128LT-I/PT
												
										
				
			BSM400GA120DN2
        BSM400GA120DN2
        
            
                
                    
                    
                        
                        
                    
                
                
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                        
                                                
                    
                                            
            
            
                
                    
                    
                        
                        
                        
                    
                
            
            
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                    
                                                    
                
                                    
        
    
Характеристики
                    
                            Manufacturer
                            
                            Infineon
                        
                                                
                            Product
                            
                            IGBT Silicon Modules
                        
                                                
                            Collector- Emitter Voltage VCEO Max
                            
                            1200 V
                        
                                                
                            Configuration
                            
                            Single
                        
                                                
                            Continuous Collector Current
                            
                            550 A
                        
                                                
                            Power Dissipation
                            
                            2.7 kW
                        
                                            Описание
                        Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM400GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
                    
                                        
                        Скачать datasheet
                        
                    
                    
                Характеристики
                    
                                Manufacturer
                                
                                Infineon
                            
                                                    
                                Product
                                
                                IGBT Silicon Modules
                            
                                                    
                                Collector- Emitter Voltage VCEO Max
                                
                                1200 V
                            
                                                    
                                Configuration
                                
                                Single
                            
                                                    
                                Continuous Collector Current
                                
                                550 A
                            
                                                    
                                Power Dissipation
                                
                                2.7 kW
                            
                                            Описание
                    Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM400GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
                
                                    
                        Скачать datasheet
                        
                    
                
            
