BSM400GA120DN2
BSM400GA120DN2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
550 A
Power Dissipation
2.7 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM400GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
550 A
Power Dissipation
2.7 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM400GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

