Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM50GAL120DN2

BSM50GAL120DN2

BSM50GAL120DN2
BSM50GAL120DN2
Артикул: BSM50GAL120DN2
Описание: BSM50GAL120DN2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 78 A
Power Dissipation 400 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GAL120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 78 A
Power Dissipation 400 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GAL120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet