Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM50GB60DLC

BSM50GB60DLC

BSM50GB60DLC
BSM50GB60DLC
Артикул: BSM50GB60DLC
Описание: BSM50GB60DLC
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet