Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM50GD120DN2E3226

BSM50GD120DN2E3226

BSM50GD120DN2E3226
BSM50GD120DN2E3226
Артикул: BSM50GD120DN2E3226
Описание: BSM50GD120DN2E3226
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD120DN2E3226: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD120DN2E3226: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet