Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM50GP120

BSM50GP120

BSM50GP120
BSM50GP120
Артикул: BSM50GP120
Описание: BSM50GP120
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 80 A
Power Dissipation 360 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 80 A
Power Dissipation 360 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet