Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM50GP60G

BSM50GP60G

BSM50GP60G
BSM50GP60G
Артикул: BSM50GP60G
Описание: BSM50GP60G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GP60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GP60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet