История:
DG131-7.5-02P
BSM75GD120DLC
BSM75GD120DLC
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.9 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
125 A
Power Dissipation
500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GD120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.9 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
125 A
Power Dissipation
500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GD120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

