Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BSM75GP60

BSM75GP60

BSM75GP60
BSM75GP60
Артикул: BSM75GP60
Описание: BSM75GP60
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 310 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 310 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet