Пн-пт: 9:00 - 17:30

История: TMS320VC5409APGE12 FS400R07A3E3H6BPSA1 2SC4117-BL,LF PM-M12A-04P-MM-SL8C01 TMS320VC5416ZWS120 TMS320VC5410APGE12 TMS320VC5409APGE16 TMS320VC5502ZAV300 PM-M12A-04P-MM-SR8C01

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules DD1000S33HE3

DD1000S33HE3

Артикул: DD1000S33HE3

Описание: DD1000S33HE3

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Infineon

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD1000S33HE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet

Характеристики

Manufacturer Infineon

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD1000S33HE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Запрос цены