Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
DDB2U30N08VR

DDB2U30N08VR

DDB2U30N08VR
DDB2U30N08VR
Артикул: DDB2U30N08VR
Описание: DDB2U30N08VR
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB2U30N08VR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB2U30N08VR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet