Пн-пт: 9:00 - 17:30

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules DF1000R17IE4D_B2

DF1000R17IE4D_B2

Артикул: DF1000R17IE4D_B2

Описание: DF1000R17IE4D_B2

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Infineon

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet

Характеристики

Manufacturer Infineon

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Запрос цены