Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
DF80R07W1H5FPB11BPSA1

DF80R07W1H5FPB11BPSA1

DF80R07W1H5FPB11BPSA1
DF80R07W1H5FPB11BPSA1
Артикул: DF80R07W1H5FPB11BPSA1
Описание: DF80R07W1H5FPB11BPSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF80R07W1H5FPB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF80R07W1H5FPB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet