Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
F3L150R07W2E3_B11

F3L150R07W2E3_B11

F3L150R07W2E3_B11
F3L150R07W2E3_B11
Артикул: F3L150R07W2E3_B11
Описание: F3L150R07W2E3_B11
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 335 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 335 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet