Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
F3L300R07PE4

F3L300R07PE4

F3L300R07PE4
F3L300R07PE4
Артикул: F3L300R07PE4
Описание: F3L300R07PE4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 300 A
Power Dissipation 940 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 300 A
Power Dissipation 940 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet