Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
F3L75R12W1H3_B27

F3L75R12W1H3_B27

F3L75R12W1H3_B27
F3L75R12W1H3_B27
Артикул: F3L75R12W1H3_B27
Описание: F3L75R12W1H3_B27
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 275 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 275 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet