История:
FP10R12W1T4PBPSA1
F4-150R06KL4
F4-150R06KL4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
180 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-150R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
180 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-150R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

