Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
F4-50R12KS4

F4-50R12KS4

F4-50R12KS4
F4-50R12KS4
Артикул: F4-50R12KS4
Описание: F4-50R12KS4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.75 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 355 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-50R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.75 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 355 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-50R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet