Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
F4-75R06W1E3

F4-75R06W1E3

F4-75R06W1E3
F4-75R06W1E3
Артикул: F4-75R06W1E3
Описание: F4-75R06W1E3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Quad
Continuous Collector Current 100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Quad
Continuous Collector Current 100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet