История:
IRG4BC40W-SPBF
HEB-AW-RLC-C
F4-75R06W1E3
F4-75R06W1E3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

