История:
FP10R12W1T4PBPSA1
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

