История:
2SC5964-TD-H
FS200R06KE3
FH8065403552801S R3GT
PC642C030
SB6100-010-0
QJ6030LH4TP
FH8065301542217S R3UY
FH8065503553601S R3H1
2SC6097-TL-E
TMS320LC543PZ1-50
2SC6095-TD-E
2SCR523UBTL
QJ8016RH3TP
TMS320F28335ZJZA
TMS320LC548PGE-66
2SCR502U3HZGT106
DDB6U75N16W1R_B11
FS225R12OE4
DF200R12PT4_B6
FS300R12OE4
RSP150-168
FH8066501715929S R2KN
SB6100-011-0
S4012DRP
S4012NRP
2SC6096-TD-E
DD800S33K2C
FH8065301989701S R2UL
FS225R12KE3
S4016RTP
DD200S33K2C
2SC6094-TD-E
FS300R12KE3
2SC5994-TD-E
QJ8016RH5TP
S4012RTP
FAM65HR51DS2
FAM65HR51DS2
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Quad
Power Dissipation
135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65HR51DS2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Quad
Power Dissipation
135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65HR51DS2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet