FB10R06KL4G_B1
FB10R06KL4G_B1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
15 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
15 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

