История:
2SD1803T-TL-E
QJ4025JH6TP
FB15R06KL4_B1
FB15R06KL4_B1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
19 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB15R06KL4_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
19 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB15R06KL4_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

