FB20R06W1E3
FB20R06W1E3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
29 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
29 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

