Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FB30R06W1E3

FB30R06W1E3

FB30R06W1E3
FB30R06W1E3
Артикул: FB30R06W1E3
Описание: FB30R06W1E3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 39 A
Power Dissipation 115 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB30R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 39 A
Power Dissipation 115 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB30R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet