FD1000R33HE3-K
FD1000R33HE3-K
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1000R33HE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1000R33HE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

