FD1200R17KE3-K
FD1200R17KE3-K
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
1600 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1200R17KE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
1600 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1200R17KE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

