Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FD200R12KE3

FD200R12KE3

FD200R12KE3
FD200R12KE3
Артикул: FD200R12KE3
Описание: FD200R12KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 1.04 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD200R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 1.04 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD200R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet