Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FD300R17KE4PHOSA1

FD300R17KE4PHOSA1

FD300R17KE4PHOSA1
FD300R17KE4PHOSA1
Артикул: FD300R17KE4PHOSA1
Описание: FD300R17KE4PHOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R17KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R17KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet