Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FD400R33KF2C

FD400R33KF2C

FD400R33KF2C
FD400R33KF2C
Артикул: FD400R33KF2C
Описание: FD400R33KF2C
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 330 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 400 A
Power Dissipation 4.8 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 330 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 400 A
Power Dissipation 4.8 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet