История:
FS100R17N3E4PB11BPSA1
FD400R33KF2C-K
FD400R33KF2C-K
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
660 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R33KF2C-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
660 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R33KF2C-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

