Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FD450R12KE4PHOSA1

FD450R12KE4PHOSA1

FD450R12KE4PHOSA1
FD450R12KE4PHOSA1
Артикул: FD450R12KE4PHOSA1
Описание: FD450R12KE4PHOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD450R12KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD450R12KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet